隨著三星電子(Samsung Electronics)大舉擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能,分析人士預(yù)估,今(2018)年廠商的資本支出有望成長8%,半導(dǎo)體設(shè)備族群前景暢旺。
barron`s.com 12日報導(dǎo),Keybanc分析師Weston Twigg發(fā)表研究報告指出,今年芯片廠商對設(shè)備的資本支出,有望成長8%、高于先前他所預(yù)估的5%,需求更有機(jī)會增加10%以上,其中邏輯IC設(shè)備的需求相對穩(wěn)定,晶圓代工廠雖然上半年有些疲軟、但下半年應(yīng)會改善。
Twigg說,三星似乎正在積極擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能,估計存儲器的需求會比設(shè)備業(yè)者一季前預(yù)估的還要強(qiáng)勁,DRAM擴(kuò)產(chǎn)、3D NAND產(chǎn)能持續(xù)上升,有望讓芯片廠商的資本支出一路增加至今年底。雖然三星基本上已經(jīng)停止擴(kuò)產(chǎn)OLED、并大幅降低現(xiàn)有OLED產(chǎn)能的利用率,但應(yīng)用材料 ( Applied Materials )對此因素的曝險度相對低,其OLED相關(guān)營收僅占整體的7%。
應(yīng)用材料12日應(yīng)聲上漲2.69%、收56.43美元,重返60日移動平均線,并創(chuàng)3月26日收盤高。半導(dǎo)體蝕刻機(jī)臺制造商科林研發(fā)公司( Lam Research Corp. )同步上漲2.57%、收206.02美元,創(chuàng)3月26日以來收盤高。晶圓檢測設(shè)備制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )也上漲2.33%、收109.12美元。
臺積電 (2330)、三星對先進(jìn)制程競賽白熱化,對半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言,也會相當(dāng)有利。
歐系外資4月9日甫發(fā)表研究報告指出,最近有謠言暗示,臺積電可能推延了極紫外光(EUV)微影設(shè)備訂單的交期,但根據(jù)實地調(diào)查,EUV的需求展望非但并未減弱、反之還有增溫跡象,估計歐洲半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭艾司摩爾(ASML Holding NV)明(2019)年的EUV產(chǎn)能,應(yīng)能如期被搶訂一空。
報告直指,臺積電已在4月2日向ASML和日本半導(dǎo)體設(shè)備廠Lasertec下達(dá)了近10億美元的訂單,顯示第一季訂購的設(shè)備數(shù)量應(yīng)有6-8臺。三星則是對EUV態(tài)度最積極的廠商,據(jù)調(diào)查,三星或許會將至少一部份的1y nm DRAM (~1 layer)產(chǎn)能導(dǎo)入EUV,量產(chǎn)DRAM的時間點,甚至?xí)? 奈米晶圓代工/邏輯芯片還要早,因為三星打算先用風(fēng)險較低的DRAM試產(chǎn),以便在未來大量替7奈米制程導(dǎo)入EUV。
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