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        ?我國氧化物非線性光學(xué)晶體研究獲突破

        文章出處:半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時(shí)間:
        2020
        11-10

        近日,山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室于浩海教授課題組與中科院理化所合作,在氧化物非線性光學(xué)晶體研究方面取得了新進(jìn)展,相關(guān)研究成果作為封面文章發(fā)表在國際著名期刊《美國化學(xué)學(xué)會雜志》上。

        由于在國防、醫(yī)療、工業(yè)以及科研工作等領(lǐng)域的重要應(yīng)用,中紅外波段激光已成為國內(nèi)外激光技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一??蓪?shí)用中紅外非線性光學(xué)材料是中紅外激光的材料基礎(chǔ),要求透過范圍寬、激光損傷閾值高、非線性光學(xué)效應(yīng)大。一般來說,氧化物晶體的聲子能量較高,限制了其中遠(yuǎn)紅外應(yīng)用,中紅外非線性光學(xué)晶體的研究主要集中于以硫磷族為代表的半導(dǎo)體晶體,但氧化物寬的禁帶寬度決定該類材料可能具有高的損傷閾值、可能提升現(xiàn)有中紅外激光的輸出功率。課題組面向中紅外氧化物研究和應(yīng)用現(xiàn)狀,在長期的硅酸鎵鑭體系研究基礎(chǔ)上,抓住寬禁帶和低聲子能量兩個(gè)關(guān)鍵因素,通過分子設(shè)計(jì),在硅酸鎵鑭體系中進(jìn)一步篩選出的La3SnGa5O14(LGSn)晶體是綜合性能優(yōu)秀的中紅外非線性光學(xué)晶體;通過晶體生長獲得了小尺寸樣品,發(fā)現(xiàn)該晶體的紅外截止邊到11μm中紅外光譜區(qū)域,具有禁帶寬度寬、損傷閾值高、非線性系數(shù)大、可用成熟的近紅外激光泵浦產(chǎn)生中紅外激光等優(yōu)勢。

        于浩海教授課題組一直致力于人工晶體特別是激光與非線性光學(xué)晶體材料與器件研究,在激光晶體、非線性光學(xué)晶體、激光自倍頻晶體、光開關(guān)晶體等光電功能晶體的晶體生長及器件應(yīng)用方面取得了系列成績,在Adv. Mater.、ACS Nano、Laser &Photon. Rev.、Appl. Phys. Lett.等國際期刊上發(fā)表多篇論文,受到廣泛關(guān)注,部分研究成果已獲得轉(zhuǎn)化應(yīng)用。2014年提出在硅酸鎵鑭體系晶體可能在中紅外波段有重要應(yīng)用,2016年評估了鈮酸鎵鑭晶體的中紅外非線性光學(xué)特性和實(shí)用前景。

        該項(xiàng)研究工作得到了國家重點(diǎn)研究與發(fā)展計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的大力支持。
        (來源:科技日報(bào) 作者:王延斌)

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