受惠于5G即將邁入商轉(zhuǎn)及車用電子、物聯(lián)網(wǎng)大勢(shì)所趨,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)進(jìn)入快速成長(zhǎng)期,國(guó)際IDM大廠高端產(chǎn)品相繼跨入第三代半導(dǎo)體材料制程,臺(tái)積電、世界先進(jìn)GaN制程投片量大增,今、明兩年進(jìn)入收割期。
臺(tái)積電與世界先進(jìn)著手研發(fā)GaN制程技術(shù)多年,技術(shù)成熟進(jìn)入量產(chǎn),目前臺(tái)積電6英寸產(chǎn)能開(kāi)出GaN制程提供德商戴樂(lè)格(Dialog)產(chǎn)出電源轉(zhuǎn)接芯片;而世界先進(jìn)則與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作,在去年陸續(xù)為電源管理IC客戶開(kāi)出8英寸產(chǎn)能。
Dialog指出,以GaN生產(chǎn)電源轉(zhuǎn)換控制器具備高效率、體積小、更高功率優(yōu)異特性,帶來(lái)全世界最快速的電晶體。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究指出,GaN與SiC除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)。
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