?美高森美和Analog在可擴展碳化硅MOSFET驅動器解決方案領域展開合作 以加快客戶設計和上市速度

美高森美公司(Microsemi Corporation) 和Analog Devices公司宣布推出可擴展碳化硅(SiC)驅動器參考設計解決方案，其基礎為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅動器。這款雙碳化硅MOSFET驅動器參考設計提供用戶友好的設計指南，并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。下面就隨電源管理小編一起來了解一下相關內容吧。

新的參考設計為客戶提供高度隔離的碳化硅MOSFET雙柵極驅動開關，以便通過多個拓撲來評估碳化硅MOSFET。這包括為支持同步死區(qū)時間保護的半橋開關和無保護異步信號傳輸而優(yōu)化的模式。通過配置，它也可以提供并行驅動以滿足研究非鉗位感應開關(UIS) 或雙脈沖測試的要求。該參考設計專為美高森美的碳化硅MOSFET分立器件和模塊而開發(fā)，是用于評估其SiC器件產品組合的工程工具。其電路板支持修改柵極電阻值，以容納大部分美高森美分立器件和模塊。

美高森美的戰(zhàn)略營銷經理Jason Chiang說：“雙碳化硅MOSFET驅動器參考設計不僅使美高森美的客戶能夠加快產品開發(fā)工作，它也可以配合我們的下一代碳化硅MOSFET的推出，以確保最終用戶的順利過渡。重視功率電子器件的整體設計的客戶，可利用我們的新型碳化硅驅動器解決方案為其設計選擇最佳的驅動器和元件，并能夠根據其特定碳化硅MOSFET需求進行擴展?！?/p>

雙碳化硅MOSFET驅動器參考設計非常適合各種終端市場和應用，包括航空航天(致動、空調和配電)、汽車(混合動力/電動汽車傳動系統(tǒng)、電動汽車電池充電器、直流-直流變換器)、國防(電源和高功率馬達驅動)、工業(yè)(光伏逆變器、馬達驅動器、焊接、不間斷電源、開關模式電源、感應加熱和石油鉆探)以及醫(yī)療(MRI和X射線電源)。

Analog Devices公司與美高森美展開合作，是組成加速生態(tài)系統(tǒng)的一部分，目標是為最終用戶縮短投向市場的時間，以及加快生態(tài)系統(tǒng)參與者獲得收益。美高森美的加速生態(tài)系統(tǒng)匯集了領先的硅、知識產權(IP)、系統(tǒng)、軟件和設計專家，為最終客戶提供經過驗證的電路板和系統(tǒng)級解決方案。

碳化硅產品具備多種優(yōu)勢，包括更高的系統(tǒng)效率，在相同的物理尺寸下將功率輸出提高了25至50%，以及在更高的開關頻率下實現(xiàn)高于絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)的效率，減小了系統(tǒng)尺寸和重量，增強了過溫時的運行穩(wěn)定性(+175℃)并顯著降低了冷卻成本。

據市場調研公司YoleDéveloppement的估計，碳化硅功率器件市場份額將于2021年超過5.5億美元，其中，2015至2021年的復合年增長率(CAGR)為19%。該公司也描述了碳化硅的優(yōu)勢如何影響新產品的開發(fā)和碳化硅技術。憑借動態(tài)性能和熱性能優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率MOSFET的碳化硅MOSFET產品及其他優(yōu)勢，美高森美為配合這些趨勢做好了充分準備。通過將Analog Device公司的ADuM4135隔離碳化硅驅動器解決方案與美高森美的MSCSICMDD/REF1碳化硅MOSFET驅動程序參考設計相結合，可進一步增強美高森美滿足客戶產品開發(fā)需求的能力。

Analog Devices公司的隔離柵極驅動器具備DESAT和眾多其他保護功能，可提供強大的柵極驅動能力(6A)以及可靠的電氣隔離，這對在高壓功率轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)長使用壽命和安全操作至關重要。Analog Devices公司的隔離柵極驅動器產品組合為設計人員提供了優(yōu)于采用光電耦合元件或脈沖變壓器設計的性能與可靠性。借助Analog Devices公司經過驗證的iCoupler?技術，隔離柵極驅動器系列為支持寬禁帶器件(尤其是碳化硅MOSFETS)的高電壓和高開關速度應用提供了許多關鍵優(yōu)勢。這包括不足50 ns的出色傳播延遲以及小于5ns的通道間匹配，高于100KV/us的共模瞬變免疫能力(CMTI)，以及在單個包裝中支持高達1500V DC的使用期工作電壓。

供貨

包括評估板的雙碳化硅SiC驅動器參考設計(MSCSICMDD/REF1)現(xiàn)已可供訂購。

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