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        ?偏置時序控制要求,如何讓電源不“跑偏”!

        文章出處:電源 責任編輯:上海意泓電子科技有限責任公司 發(fā)表時間:
        2018
        01-30

        射頻(RF)和微波放大器在特定偏置條件下可提供最佳性能。偏置點所確定的靜態(tài)電流會影響線性度和效率等關(guān)健性能指標。雖然某些放大器是自偏置,但許多器件需要外部偏置并使用多個電源,這些電源的時序需要加以適當控制以使器件安全工作。


        接下來,我們主要來說說偏置時序控制要求。


        電源時序控制


        使用外部偏置放大器時,電源時序控制非常重要,原因如下:


        1.不遵守正確的電源時序會影響器件的穩(wěn)定性。超過擊穿電壓可能會導致器件立即失效。當超過邊界條件的狀況多次發(fā)生且系統(tǒng)承受壓力時,長期可靠性會降低。此外,連續(xù)違反時序控制模式會損壞片內(nèi)保護電路并產(chǎn)生長期損害,導致現(xiàn)場操作故障。


        2.不僅在上電和掉電期間,而且在常規(guī)工作期間優(yōu)化偏置電平,可以改善射頻放大器的性能,具體情況取決于配置和應用要求。對于某些應用,可以改變放大器的射頻性能以適應不同的現(xiàn)場情況。例如,在雨天可以提高輸出功率以擴寬覆蓋范圍,在晴天可以降低輸出功率。放大器的外部柵壓控制可以實現(xiàn)這些功能。


        ADI擁有各種各樣的射頻放大器,許多射頻放大器是基于耗盡型高電子遷移率(pHEMT)技術(shù)。該工藝中使用的晶體管通常需要電源來為漏極引腳和柵極引腳供電。此靜態(tài)漏極電流與柵極電壓相關(guān)。


        隨著柵源電壓(VGS)提高,更多電子進入溝道,產(chǎn)生更高的漏源電流(IDS)。


        另外,隨著漏源電壓(VDS)提高,拉動電子的電場力會變得更大,因而漏源電流也會增大(在線性區(qū)間中)。


        在實際放大器中,由于溝道長度調(diào)制等效應,可將這些放大器大致歸為兩類:自偏置放大器和外部偏置放大器。


        自偏置放大器


        自偏置放大器有一個內(nèi)部電路用來設(shè)置適合工作的最佳偏置點。這些放大器通常最適合寬帶低功耗應用。自偏置放大器的典型引腳排列。


        自偏置放大器雖然容易使用,但可能無法提供最佳性能,因為內(nèi)部阻性偏置電路無法充分補償批次、器件和溫度差異。


        外部偏置放大器


        在特定偏置條件下,外部偏置放大器提供的性能往往高于自偏置放大器。放大器的靜態(tài)漏極電流會影響功率壓縮點、增益、噪聲系數(shù)、交調(diào)產(chǎn)物和效率等參數(shù)。對于這些高性能外部偏置放大器,正確的電源時序控制對于確保器件以最佳性能安全工作至關(guān)重要。


        圖3顯示了外部偏置放大器引腳和對應晶體管引腳的典型連接。圖3中的引腳映射是放大器的簡化示意圖。


        此外,許多外部偏置放大器通過多級來滿足增益、帶寬和功率等要求。圖4所示為多級外部偏置放大器HMC1131的典型框圖。


        舉個栗子:外部偏置放大器的時序和控制要求


        HMC1131是一款砷化鎵(GaAs)、pHEMT單片微波集成電路(MMIC)中功率放大器。工作頻率范圍為24 GHz至35 GHz。該4級設(shè)計提供的典型性能為22 dB增益、23 dBm輸出功率(1 dB壓縮,即P1dB)和27 dBm飽和輸出功率(PSAT),對應的偏置條件為VDD = 5 V且IDQ = 225 mA,其中VDD為漏極偏置電壓,IDQ為靜態(tài)漏極電流。HMC1131數(shù)據(jù)手冊中針對24 GHz至27 GHz頻率范圍的電氣規(guī)格表給出了此信息。圖4顯示了HMC1131的引腳連接。


        多級放大器的VGG引腳一般連在一起并一同偏置。遵循相同的程序,用戶便可獲得數(shù)據(jù)手冊上提供的典型性能結(jié)果。在不同偏置條件下使用放大器可能會提供不同的性能。例如,將不同的VGGx電平用于HMC1131柵極偏置引腳以獲得不同的IDQ值,會改變放大器的射頻和直流性能。


        HMC1131在不同電源電流下P1dB與頻率的關(guān)系,圖6顯示了不同電源電流下輸出三階交調(diào)截點(IP3)性能與頻率的關(guān)系。


        利用多個VGGx引腳偏置放大器的另一種方案是獨立控制柵極偏置引腳。該工作模式通過優(yōu)化特定參數(shù)(如P1dB、IP3、NF、增益和功耗等)來幫助用戶定制器件。


        這種靈活性對某些應用很有利。如果放大器數(shù)據(jù)手冊上提供的性能數(shù)據(jù)能夠輕松滿足應用的某些要求,但與其他要求略有差距,那么在不超過數(shù)據(jù)手冊給定的絕對最大額定值的情況下,測試不同偏置條件下的性能可能會有益。


        偏置外部偏置放大器的另一種方案是設(shè)置VGGx以獲得所需的225 mA IDQ,并在正常工作期間使用恒定柵極電壓。這種情況下,放大器的IDD會在射頻驅(qū)動下提高(此行為可參見HMC1131數(shù)據(jù)手冊中的30.5 GHz功率壓縮圖)。柵極電壓恒定的放大器和IDD恒定的放大器可能提高不同的性能。

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