中國(guó)力推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化 未來(lái)或?qū)⒄莆諆r(jià)格主導(dǎo)權(quán)?
(原標(biāo)題:日媒:中國(guó)力推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化 未來(lái)或?qū)⒄莆諆r(jià)格主導(dǎo)權(quán))參考消息網(wǎng)4月13日?qǐng)?bào)道 日媒稱(chēng),中國(guó)正式推進(jìn)設(shè)備投資加快半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_(kāi)始提供三維NAND閃存芯片。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》4月12日?qǐng)?bào)
復(fù)旦張衛(wèi)團(tuán)隊(duì)開(kāi)創(chuàng)第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)?
原標(biāo)題:我國(guó)科學(xué)家開(kāi)創(chuàng)第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù) 據(jù)新華社電 (記者吳振東)近日,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件,開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù),寫(xiě)入速度
上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 版權(quán)所有 未經(jīng)授權(quán)禁止復(fù)制或鏡像
CopyRight 2020-2025 www.jlodreman.com All rights reserved 滬ICP備2021005866號(hào)